Stochastic current-induced magnetization switching in a single semiconducting ferromagnetic layer.
We show experimental evidence of magnetization switching in a single (Ga,Mn)(As,P) semiconducting ferromagnetic layer, attributed to a strong reduction of the magnetization and the anisotropy due to current injection. The nucleation of magnetization reversal is found to occur even in the absence of a magnetic field and to be both anisotropic and stochastic. Our findings highlight a new mechanism of magnetization manipulation based on spin accumulation in a semiconductor material.
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, CNRS, UMR8502, 91405 Orsay, France.
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Gorchon
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, CNRS, UMR8502, 91405 Orsay, France and Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, UPR 20, 91460 Marcoussis, France and Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas, Centro Atómico Bariloche-Comisíon Nacional de Energía Atómica, Avenida Bustillo 9500, 8400 San Carlos de Bariloche, Río Negro, Argentina.
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Curiale
Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, UPR 20, 91460 Marcoussis, France.
A
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Lemaître
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, CNRS, UMR8502, 91405 Orsay, France.
N
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Moisan
Institut des nanosciences de Paris, Université Pierre et Marie Curie, CNRS, UMR7588, 75252 Paris, France.
M
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Cubukcu
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, CNRS, UMR8502, 91405 Orsay, France.
G
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Malinowski
Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, UPR 20, 91460 Marcoussis, France.
C
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Ulysse
Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, CNRS, UPR 20, 91460 Marcoussis, France.
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Faini
Institut des nanosciences de Paris, Université Pierre et Marie Curie, CNRS, UMR7588, 75252 Paris, France.
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HJ
von Bardeleben
Laboratoire de Physique des Solides, Université Paris-Sud, CNRS, UMR8502, 91405 Orsay, France and Université Cergy-Pontoise, 95000 Cergy-Pontoise, France.
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Jeudy