100 nm AlSb/InAs HEMT for ultra-low-power consumption, low-noise applications.
We report on high frequency (HF) and noise performances of AlSb/InAs high electron mobility transistor (HEMT) with 100 nm gate length at room temperature in low-power regime. Extrinsic cut-off frequencies fT/f max of 100/125 GHz together with minimum noise figure NF(min) = 0.5 dB and associated gain G(ass) = 12 dB at 12 GHz have been obtained at drain bias of only 80 mV, corresponding to 4 mW/mm DC power dissipation. This demonstrates the great ability of AlSb/InAs HEMT for high-frequency operation combined with low-noise performances in ultra-low-power regime.
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Cyrille
0000-0003-4082-4752
C
Gardès
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Sonia
S
Bagumako
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Ludovic
L
Desplanque
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Nicolas
N
Wichmann
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Sylvain
S
Bollaert
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
François
F
Danneville
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Xavier
X
Wallart
Institut d'Électronique de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Université Lille I, BP 60069, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
Yannick
0000-0003-2451-2177
Y
Roelens
D011211:Electric Power Supplies / Q000639:trends*; D004583:Electrons; D014173:Transistors, Electronic / Q000639:trends*