title: Tunable phononic crystals based on piezoelectric composites with 1-3 connectivity.
abstract: Phononic crystals made of piezoelectric composites with 1-3 connectivity are studied theoretically and experimentally. It is shown that they present Bragg band gaps that depend on the periodic electrical boundary conditions. These structures have improved properties compared to phononic crystals composed of bulk piezoelectric elements, especially the existence of larger band gaps and the fact that they do not require severe constraints on their aspect ratios. Experimental results present an overall agreement with the theoretical predictions and clearly show that the pass bands and stop bands of the device under study are easily tunable by only changing the electrical boundary conditions applied on each piezocomposite layer.
authors.affiliation: Institut d'Électronique, de Micro-électronique et de Nanotechnologie, Unité Mixte de Recherche 8520, Centre National de la Recherche Scientifique, ISEN (Institut Supérieur de l'Électronique et du Numérique) Department, 41 Boulevard Vauban, 59046 Lille, France.
authors.forename: Charles
authors.initials: C
authors.lastname: Croënne
authors.affiliation: Institut d'Électronique, de Micro-électronique et de Nanotechnologie, Unité Mixte de Recherche 8520, Centre National de la Recherche Scientifique, ISEN (Institut Supérieur de l'Électronique et du Numérique) Department, 41 Boulevard Vauban, 59046 Lille, France.
authors.forename: Marie-Fraise
authors.initials: MF
authors.lastname: Ponge
authors.affiliation: Institut d'Électronique, de Micro-électronique et de Nanotechnologie, Unité Mixte de Recherche 8520, Centre National de la Recherche Scientifique, ISEN (Institut Supérieur de l'Électronique et du Numérique) Department, 41 Boulevard Vauban, 59046 Lille, France.
authors.forename: Bertrand
authors.initials: B
authors.lastname: Dubus
authors.affiliation: Institut d'Électronique, de Micro-électronique et de Nanotechnologie, Unité Mixte de Recherche 8520, Centre National de la Recherche Scientifique, ISEN (Institut Supérieur de l'Électronique et du Numérique) Department, 41 Boulevard Vauban, 59046 Lille, France.
authors.forename: Christian
authors.initials: C
authors.lastname: Granger
authors.affiliation: François-Rabelais University, GREMAN UMR 7347 CNRS, 37071 Tours, France.
authors.forename: Lionel
authors.initials: L
authors.lastname: Haumesser
authors.affiliation: François-Rabelais University, GREMAN UMR 7347 CNRS, 37071 Tours, France.
authors.forename: Franck
authors.initials: F
authors.lastname: Levassort
authors.affiliation: Institut d'Électronique, de Micro-électronique et de Nanotechnologie, Unité Mixte de Recherche 8520, Centre National de la Recherche Scientifique, Cité Scientifique, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France.
authors.forename: Jérôme O
authors.initials: JO
authors.lastname: Vasseur
authors.affiliation: Thales Research and Technology, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France.
authors.forename: Albert
authors.initials: A
authors.lastname: Lordereau
authors.affiliation: Thales Research and Technology, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau, France.
authors.forename: Mai
authors.initials: M
authors.lastname: Pham Thi
authors.affiliation: Institut d'Électronique, de Micro-électronique et de Nanotechnologie, Unité Mixte de Recherche 8520, Centre National de la Recherche Scientifique, ISEN (Institut Supérieur de l'Électronique et du Numérique) Department, 41 Boulevard Vauban, 59046 Lille, France.
authors.forename: Anne-Christine
authors.initials: AC
authors.lastname: Hladky-Hennion